Silikon ve Germanyum’un Yasak Enerji Band Aralıklarının Düşük Sıcaklık Ölçümü ile Belirlenmesi

Öz

Bu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir. Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir. Ölçümler 100K-340K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.